APT6035BN-GULLWING

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

APT6035BN-GULLWING datasheet

• Маркировка
  APT6035BN-GULLWING
• Производитель
  Microsemi Corporation
• Описание
  Microsemi Corporation APT6035BN-GULLWING Mfr Package Description: TO-247, 3 PIN Package Shape: RECTANGULAR Package Style: FLANGE MOUNT Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 19 A DS Breakdown Voltage-Min: 600 V Drain-source On Resistance-Max: 0.3500 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 76 A
• Количество страниц
  4 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet APT6035BN-GULLWING.pdf
Файл формата Pdf 146,97 KB